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什么是PCSDRAM、PC100SDRAM、RegisteredSDRAM？

什么是PCSDRAM、PC100SDRAM、RegisteredSDRAM？ 2011年12月10日 来源： 问：什么是PC SDRAM、PC100 SDRAM、Registered SDRAM？ 　　答：PC SDRAM是对配置了SPD芯片运行频率是66MHz并且与奔腾II主板兼容的SDRAM的一个广义叫法。 　　PC100 SDRAM是指符合INTL PC100标准的PC100 SDRAM芯片或DIMM。它们设计用于100MHz的前侧总线（FSB）。 Registered SDRAM是指配置了寻址和信号控制寄存器的SDRAM模块。 　　Registered DIMM可以降低DIMM多主板的负担。因而，主板可以配置大容量的 Registered DIMM或多个Registered DIMM。这一技术被广泛用于服务器中，增加系统可以支持的存储器数量。Registered DIMM的存取速度比非缓冲DIMM略低。 　　问：什么是刷新速度和自刷新？ 　　答：存储器芯片由很多按行排列的单元组成。刷新过程就是对这些单元进行重新写操作。刷新循环指明了必须刷新行的序列数。一般的刷新周期为2K、4K、8K。刷新循环与刷新周期决定了刷新的频繁程度即：刷新速度。对同样的刷新周期来说，4K刷新比2K刷新需要更高的刷新速度。对同样尺寸的DRAM来说，4K刷新比2K刷新所耗功率更低。有些特殊设计的DRAM具有自刷新功能，它们可以自行进行刷新而与CPU和外部刷新电路无关。由于自刷新是在DRAM内部进行的因而降低了功耗。该技术通常用于笔记本电脑。 　　问：什么是CAS等待（CL）？ 　　答：CAS等待是指从发出“读”命令到数据读出之间的时钟周期数。CL值越小表示SDRAM在相同频率下运行的速度越快。 　　问：什么是ESD？ 　　答：ESD是静电放电(Electrostatic Discharge)的缩写。静电势能存在于周围环境的空气中，可能会造成计算机硬盘、软驱、主板、CPU、存储器模块等电子学零部件的损坏。当一个物体与另一个物体通过电导接触会产生静电放电。为避免静电放电对存储器模块造成损害，请将电子学元器件放置在防静电包装中备用。 　　问：什么是CL2和CL3？ 　　答：CL2器件在进行处理起始数据时比CL3器件少等一个时钟周期。但是当第一段数据处理完后，剩余数据的处理速度就一样了。等待仅影响数据的起始脉冲。 一旦数据流开始启动，就不会有影响。PC100模块的时钟周期是10纳秒，您不会察觉其对性能的影响。大多数系统可以同时安装CL2和CL3器件，但也有系统只能安装CL2或者CL3器件。 　　问：什么是“虚拟通道”SDRAM？（VC SDRAM）？ 　　答：VC SDRAM是由日本NEC公司开发的非标准专利产品。仅有少数PC系统支持VC SDRAM。VC SDRAM的性能介于PC133CAS和PC133CAS2之间。 　　PC133是133MHz模块的行业标准。 　　问：什么是OEM存储器？ 　　答：OEM的意思是：原始设备制造商。OEM存储器表明该存储器和PCB板均为半导体生产厂商自己制造的。世界上很多大PC制造商如：Dell、Compaq、Apple均向原始半导体制造商购买存储器装配在自己的系统中。 　　问：何为SPD？ 　　答：SPD的英文全称为：Serial Presence Detect。SPD指厂家在内存条中存储的有关该内存条的参数信息，如：厂商信息，存储空间，工作频率，工作电压，访问时间等等与内存操作有关的信息。SPD通常存储在内存条上一个八管脚的EEPROM中，它的容量位256位，但一般情况下只应用128位。 　　问：何谓“1 PASS”？ 　　答：这是CST采用的一种新型测试技术，只需对DDR内存进行一次测试即可；而通常的作法要对其进行两遍检测才能作到完全检测。

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